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本发明提供一种存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法，阵列结构包括：至少一个存储单元，包括叠置串联的超导器件及磁性存储器件；至少一个超导上电极，设置于存储单元上方，至少一个超导下电极，设置于存储单元下方，至少一个超导字线，设置于...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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