温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种半浮栅存储器件及其制造方法，在现有工艺流程中仅增加一张光刻版和一步离子注入，使得现有器件结构的半浮栅窗口左右两侧加入了两块第二类掺杂的重掺杂区域，这两块第二类掺杂的重掺杂区域其一能减少寄生MOSFET漏电流、减少半浮栅漏电和...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。