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本公开实施例涉及半导体结构及其制造方法。本公开提供一种半导体结构，包含提供：金属层；粘着增强层，其在所述金属层上方；介电质堆叠，其在所述粘着增强层上方；接触件，其穿透所述介电质堆叠及所述粘着增强层并与所述金属层连接；阻障层，其放置于所述接触...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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