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本发明涉及一种硅片CMP后加工设备及加工流程,硅片CMP后加工设备包括:位于多个CMP加工装置后端的臭氧水槽和纯水冲洗槽;机械手;CMP后清洗装置,在CMP后清洗装置的前端设有放置硅片收纳盒的水槽;加工方法如下:第一步:CMP加工装置将硅片...该专利属于若名芯半导体科技(苏州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过若名芯半导体科技(苏州)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种硅片CMP后加工设备及加工流程,硅片CMP后加工设备包括:位于多个CMP加工装置后端的臭氧水槽和纯水冲洗槽;机械手;CMP后清洗装置,在CMP后清洗装置的前端设有放置硅片收纳盒的水槽;加工方法如下:第一步:CMP加工装置将硅片...