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本发明公开了一种半导体器件和制备半导体器件的方法。该半导体器件包括：第一硅层(110；210)；第一介质层(120；220)，位于该第一硅层(110；210)上面，该第一介质层(120；220)包含窗口(121；221)，该第一介质层(12...
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