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一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括核心区和高压区，所述核心区和所述高压区上具有垫氧化层；去除所述垫氧化层；去除所述垫氧化层之后，形成至少位于所述高压区上的第一介质层；在所述第一介质层上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。