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紧凑型高灵敏度MEMS微电容式传感器制造技术
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文档序号:21251970
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本发明涉及紧凑型高灵敏度MEMS微电容式传感器,包括由下往上依次设置的基底(10)、下隔离层(11)、下电极层(12)、上隔离层(13)、牺牲层(14)、振膜层(15)、上电极层(16)、绝缘层(17),下电极层(12)和上电极层(16)均...
该专利属于武汉大学所有,仅供学习研究参考,未经过武汉大学授权不得商用。
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