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本发明公开了一种聚酰亚胺基电阻式薄膜应变传感器及其制备方法与应用。所述应变传感器自下而上包括：聚酰亚胺基片、敏感栅薄膜以及电极层，所述敏感栅为钨钛合金薄膜，所述钨钛合金薄膜由65～85％的钨和35～15％的钛组成。所述感应器的制备方法为：(...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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