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本发明提供一种通过选择性地控制和利用入射激光束的偏振来切割半导体晶片的方法，其包括：用具有第一偏振状态的激光照射所述半导体晶片；以及随后用具有第二偏振状态的激光照射所述半导体晶片，所述第二偏振状态不同于所述第一偏振状态。...
该专利属于先进科技新加坡有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进科技新加坡有限公司授权不得商用。

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