使用选择性偏振的激光切割制造技术

本发明专利技术提供一种通过选择性地控制和利用入射激光束的偏振来切割半导体晶片的方法，其包括：用具有第一偏振状态的激光照射所述半导体晶片；以及随后用具有第二偏振状态的激光照射所述半导体晶片，所述第二偏振状态不同于所述第一偏振状态。

Laser Cutting Using Selective Polarization

The present invention provides a method for cutting semiconductor wafers by selectively controlling and utilizing the polarization of incident laser beams, which includes: irradiating the semiconductor wafer with a laser having a first polarization state; and then irradiating the semiconductor wafer with a laser having a second polarization state, which is different from the first polarization state.

【技术实现步骤摘要】
使用选择性偏振的激光切割
本专利技术涉及一种切割半导体晶片的方法、用于执行此种方法的设备，以及用于切割半导体晶片的激光切割设备。
技术介绍
单切（singulation）和蚀刻（scribing）是半导体工业中众所周知的工艺，其中切割机用于加工例如半导体晶片等工件或衬底，例如其可以包括硅但不限于此。在整个说明书中，术语“晶片”用于涵盖所有这些产品。在单切工艺（例如，也称为切割（dicing）、切开（severing）、劈开（cleaving））中，完全切穿晶片，以便将晶片单切成个别芯片。在蚀刻工艺（例如，也称为开槽（grooving）、刻痕（scoring）、切挖（gouging）或挖槽（furrowing））中，在晶片中切割出通道或沟槽。随后可以应用其它工艺，例如使用物理锯沿切割通道进行完全单切。替代地或另外，可以使用钻孔工艺在晶片中形成孔。在整个本说明书中，术语“切割”将用于涵盖单切、蚀刻和钻孔。硅半导体晶片通常为约0.005mm至1mm厚。传统的单切方法使用金刚石锯，其适用于厚度低至约0.1mm或100μm的厚晶片，其中物理限制，例如剥落、分层和大切口宽度等要求不太苛刻。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割半导体晶片的方法，其包括以下步骤：a）提供激光源，用于将激光引导到激光切割设备的照射区，b）将所述半导体晶片支撑在所述激光切割设备内，使得所述照射区与所述半导体晶片重合，以及c）用具有第一偏振状态的激光照射所述半导体晶片的照射区，并且随后用具有第二偏振状态的激光照射所述半导体晶片的所述照射区，所述第二偏振状态不同于所述第一偏振状态。

【技术特征摘要】
2017.11.22 US 15/820,7821.一种切割半导体晶片的方法，其包括以下步骤：a）提供激光源，用于将激光引导到激光切割设备的照射区，b）将所述半导体晶片支撑在所述激光切割设备内，使得所述照射区与所述半导体晶片重合，以及c）用具有第一偏振状态的激光照射所述半导体晶片的照射区，并且随后用具有第二偏振状态的激光照射所述半导体晶片的所述照射区，所述第二偏振状态不同于所述第一偏振状态。2.如权利要求1所述的方法，其为沿着一条切割线切割所述半导体晶片，其中步骤b）包括支撑所述半导体晶片，使得所述照射区与所述半导体晶片的切割线上的点重合，所述方法进一步包括以下步骤：d）使所述半导体晶片和所述照射区在平行于所述半导体晶片平面的方向上相对移动，使得所述照射区沿循所述半导体晶片的所述切割线，以使得沿着所述切割线切割所述半导体晶片。3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一偏振状态包括由以下组成中的一种：垂直于所述相对移动方向的线性偏振、平行于所述相对移动方向的线性偏振、圆偏振、椭圆偏振和非偏振。4.如权利要求2所述的方法，其中所述第二偏振状态包括由以下组成中的一种：垂直于所述相对移动方向的线性偏振、平行于所述相对移动方向的线性偏振、圆偏振、椭圆偏振和非偏振。5.如权利要求2所述的方法，其中所述激光源产生激光束，所述激光束被引导到所述照射区，在用具有所述第一偏振状态的所述激光束照射所述半导体晶片的同时执行步骤d），接着将所述激光束改变为所述第二偏振状态，并且接着在用具有所述第二偏振状态的激光束照射所述半导体晶片的同时重复步骤d）。6.如权利要求5所述的方法，其中步骤d）重复至少一次。7.如权利要求2所述的方法，其中所述激光源产生激光束阵列，所述阵列的每个激光束被引导到所述照射区的不同相应部分，并且所述阵列中至少有一个具有所述第一偏振状态的第一激光束，并且在所述第一激光束的相对移动方向上，所述阵列中至少有一个具有所述第二偏振状态的其它激光束跟随所述第一光束移动。8.如权利要求2所述的方法，其包括确定所述激光的最佳...

【专利技术属性】
技术研发人员：赛百克汉格洛夫·鲁斯兰·理佛维奇，沃伯格·保罗，阿尔斯兰诺夫·丹尼斯，多尔·罗马，
申请(专利权)人：先进科技新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG