温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供半导体结构及其形成方法，半导体结构包含栅极结构、源极/漏极结构、第一接触插塞和第一通孔插塞。栅极结构位于鳍结构上方。源极/漏极结构位于鳍结构中，并与栅极结构相邻。第一接触插塞位于源极/漏极结构上方。第一通孔插塞位于第一接触插塞上方，第一...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。