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本发明提供了一种VCSEL阵列芯片及其制作方法，涉及VCSEL阵列芯片技术领域，包括台柱、N‑DBR层、砷化镓衬底及N面电极；N‑DBR层及N面电极分别设置在砷化镓衬底的两侧，台柱设置在N‑DBR层上；台柱为中空的圆柱形结构，台柱的中央为金...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。

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