温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，包括半导体层、体区、源区、载流子吸收区、栅极机构及及导体连接结构，所述导体连接结构分别与所述载流子吸收区和所述源区接触，使所述载流子吸收区与所述源区电连接。本发明还公开了一种半导体器件的制造方法。...该专利属于重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司授权不得商用。