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实施方式提供低成本且通态电阻小的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1导电型的漏极区域；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述漏极区域之上；MOSFET，形成于上述第1半导体区域的上部；源极电极，形成为覆盖上述MOSFET；电连接部，是形...该专利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社授权不得商用。