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本发明公开了一种双加热模式放电等离子烧结制备致密氮化硅的方法，包括如下步骤：1)按预定比例称取α‑Si3N4、CeO2、Y2O3粉末，进行球磨混合；2)将球磨后的混合粉料进行干燥，并过筛；3)将筛选好的粉料进行预压；4)在真空或氩气保护气氛...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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