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高精度反对称式双晶片结构的形状记忆合金及制备方法技术
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文档序号:21105601
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本发明涉及一种高精度反对称式双晶片结构的形状记忆合金及制备方法,结合使用电子束蒸镀(E‑beam Evaporation)与光刻胶剥离(Lift‑off Resist)的方法制造形状记忆合金薄膜结构,而不是采用传统的离子溅射方法沉积形状记忆...
该专利属于西北工业大学所有,仅供学习研究参考,未经过西北工业大学授权不得商用。
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