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本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种具有高电荷保持能力的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底中的U型槽；与U型槽的一侧相邻接的轻掺杂区；与轻掺杂区相接触的第一栅极叠层；第二栅极叠层；栅...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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