温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种内嵌GGNMOS和GDPMOS的FDSOI可控硅静电保护器件，包括N阱和P阱，N阱和P阱邻接，N阱内设有第一P+注入区，P阱内设有第一N+注入区，N阱与P阱的交界处嵌设有第二P+注入区和第二N+注入区。基于FDSOI的全介质...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。