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本发明提供一种环栅纳米线器件的制造方法，现在衬底上形成鳍，该鳍为用于形成纳米线的沟道，而后，在鳍的两侧形成含氧的热反应层与无氧的隔离层交替的层叠层，并进行热退火工艺，此时，使得鳍与其两侧的热反应层中的氧反应形成鳍氧化物层，这样，在垂直于衬底...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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