温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明一种DRAM输出驱动电路及其减小漏电的方法,包括依次连接在工作电压端和接地电压端的上拉晶体管和下拉晶体管,上拉晶体管和下拉晶体管之间驱动电压输出端dq;所述的上拉晶体管的基底连接电压选择器的输出端,电压选择器的输入端分别连接对应的加载...该专利属于西安紫光国芯半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过西安紫光国芯半导体有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明一种DRAM输出驱动电路及其减小漏电的方法,包括依次连接在工作电压端和接地电压端的上拉晶体管和下拉晶体管,上拉晶体管和下拉晶体管之间驱动电压输出端dq;所述的上拉晶体管的基底连接电压选择器的输出端,电压选择器的输入端分别连接对应的加载...