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本发明提供一种完美吸收体的制备方法及完美吸收体，所述方法包括：选择二氧化硅作为衬底，然后制备第一金属层；在第一金属层上制备出介质层；在介质层上覆盖聚甲基丙烯酸甲酯光刻胶；按照预设的周期性超表面阵列结构对烘烤后的光刻胶进行曝光，对曝光后的光刻...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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