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硅穿孔裂纹检测单元制造技术
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文档序号:21068268
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本公开涉及集成电路技术领域,提出一种硅穿孔裂纹检测单元及检测方法、半导体装置的制作方法。该硅穿孔裂纹检测单元包括模拟硅穿孔、导电衬垫、第二介电衬垫、第一触点、第二触点。模拟硅穿孔设置于一半导体衬底中,包括导电通道和隔离在导电通道和半导体衬底...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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