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分栅闪存的测试结构及其制造方法技术
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文档序号:21063447
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本发明公开了一种分栅闪存的测试结构,闪存单元包括选择栅,浮栅和擦除栅,浮栅具有顶部尖角的侧墙结构。测试结构由同一行的所述选择栅行、浮栅行和擦除栅行延伸到存储区外部形成。在测试结构的区域中,选择栅的第一侧面形成一环形结构,环形结构使位于环形结...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。
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