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本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极堆叠结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成主体层，以完全填充所述凹槽；对所述主体层执行回流步骤，使所述主体层表面的原子发生...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。