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本申请提出一种半导体器件制造方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括N个半导体结构，所述半导体结构包括半导体层和位于所述半导体层上的源极和漏极；在第一半导体结构上的源极和漏极之间形成第一栅极；在晶圆上形成第一介质层，并在第二半导体结构的源极和漏极...
该专利属于苏州汉骅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州汉骅半导体有限公司授权不得商用。

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