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用于半导体器件的衬底噪声隔离结构制造技术
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下载用于半导体器件的衬底噪声隔离结构的技术资料
文档序号:21041261
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半导体器件的示例包括形成在半导体衬底(101)中的第一电路(102)和第二电路(104)。半导体器件进一步包括形成在半导体衬底中并且设置在第一电路与第二电路之间的第一保护结构(106‑1),第一保护结构包括沿第一轴设置的第一不连续n+和p+...
该专利属于赛灵思公司所有,仅供学习研究参考,未经过赛灵思公司授权不得商用。
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