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本发明提供一种VCSEL阵列结构及其制备方法，VCSEL阵列结构包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟...
该专利属于厦门乾照半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照半导体科技有限公司授权不得商用。

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