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一种绝缘栅双极性晶体管器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决在不影响IGBT其他性能指标的基础上减小IGBT制造过程中因沟槽应力导致的晶圆翘曲问题，本发明提供一种如下的技术方案：对器件沟槽排布的密度和区域进行优化设计。本发明可...
该专利属于中山汉臣电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中山汉臣电子科技有限公司授权不得商用。

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