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本公开的一实施例提供一种半导体静电放电(ESD)保护元件。该半导体ESD保护元件包括：一基底，是具有一第一导电型；一栅极，是形成在该基底上；一源极区和一漏极区，是形成在该基底中；以及一本体区，是形成在该基底中。该基底及该本体区包括一第一导电...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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