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本发明涉及一种增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法，涉及半导体集成电路制造技术，所述增强半导体器件离子注入光刻工艺窗口的方法包括首先采用含氮元素(N)和氢元素(H)的化合物气体或者混合气体进行半导体器件表面处理，然后进行光刻工艺，其中，...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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