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本发明公开了一种超导磁体氦进管绝缘处理方法，磁体结构呈T形的变截面结构，在磁体不规则形状处填补G10，降低了因不规则形状带来的绝缘处理难度，为减小因形状不规则带来的绝缘处理缺陷而带来的绝缘电学性能下降，通过在金属导管周围设计并铺设裙摆形绝缘...
该专利属于中国科学院合肥物质科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院合肥物质科学研究院授权不得商用。

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