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本发明公开了一种阻变存储器件及其制造方法。阻变存储器件包括：第一电极层和第二电极层，其被设置为彼此间隔开；以及阻变材料层，其设置在第一电极层与第二电极层之间并且包括无定形碳结构。阻变材料层包括附着在无定形碳结构上的杂质元素，并且杂质元素具有...
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