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本发明提供了一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法。本发明通过直接蒸镀具有粗化表面的ITO薄膜来实现提高出光效率的目的，避免了使用腐蚀液对外延层表面的伤害和不稳定性，与传统方法相比，通过本发明制作的管芯结构，较大幅度的提高了...
该专利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东浪潮华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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