一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法。本发明专利技术通过直接蒸镀具有粗化表面的ITO薄膜来实现提高出光效率的目的，避免了使用腐蚀液对外延层表面的伤害和不稳定性，与传统方法相比，通过本发明专利技术制作的管芯结构，较大幅度的提高了出光效率，而且制程简单，成本较低，适合规模化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法
本专利技术涉及一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法，属于半导体加工的

技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)，是一种半导体组件，被称为第四代照明光源或绿色光源。它具有节能、环保、寿命长、体积小、等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。砷化镓(galliumarsenide)，化学式为GaAs，是一种黑色固体，它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸腐蚀。砷化镓是一种非常重要的半导体材料，属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。禁带宽度1.4电子伏特，使用砷化镓制作而成的半导体器件具有高频率、耐高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等诸多优点。砷化镓是半导体材料中，兼具多方面优点的材料之一。正是因为这些优点，使得GaAs基LED在诸多方面都得了较大的发展。其中，为得到较高的亮度，通常利用制作反射面较高的电极反射层、增加侧面反光、制作布拉格反射镜、粗化出光面等方法。中国专利文献CN105702820A公开了一种表面覆盖ITO的反极性AlGaInP基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在GaAs基外延片表面利用电子束蒸发蒸镀具有粗化表面的ITO薄膜。

【技术特征摘要】
2017.10.20 CN 20171098587171.一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在GaAs基外延片表面利用电子束蒸发蒸镀具有粗化表面的ITO薄膜。2.根据权利要求1所述的一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法，其特征在于，所述在GaAs基外延片表面利用电子束蒸发蒸镀具有粗化表面的ITO薄膜具体方法包括：1)将GaAs基外延片放入电子束蒸发台腔室内进行抽真空、加热：向所述腔室内通入氧气；2)开启电子枪进行镀膜，预设ITO薄膜的厚度为d：在0-1/6d厚度阶段，镀膜速率控制在0.1-0.3埃/秒，通氧量为3-5sccm；在1/6d—5/6d厚度阶段，镀膜速率控制在1-1.5埃/秒，通氧量为8-10sccm；在5/6d-d厚度阶段，镀膜速率控制在5-8埃/秒，通氧量为15-20sccm；3)当ITO薄膜达到预设的厚度后停止蒸镀，并冷却腔室温度到室温20-30℃，破真空将蒸镀有ITO薄膜的GaAs基外延片取出；4)将蒸镀有ITO薄膜的GaAs基外延片进行氧气等离子体清洗，得到进一步粗化的ITO表面；5)将完成步骤4)的蒸镀有ITO薄膜的GaAs基外延片进行非直接接触式退火。3.根据权利要求2所述的一种具有粗化电流扩展层的GaAs基LED晶片的制备方法，其特征在于，在所述步骤1)之前，对所述GaAs基外延片进行清洗：利用有机溶剂中进行表面清洗，使GaAs基外延片表面洁净并干燥。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐晓强，闫宝华，肖成峰，郑兆河，俆现刚，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37