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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供基底；刻蚀所述基底形成第一图形，所述第一图形具有第一关键尺寸；在所述第一图形内形成第一填充层，所述第一填充层表面低于所述基底表面，填充所述第一图形下部；形成覆盖所述第一...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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