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本发明提供了一种集成门极换流晶闸管，依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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