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本发明涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种功率半导体器件及其集电区的制造方法，其包括半导体基板或具有形成于半导体基板背面的n型缓冲层的半导体基板、第一p型集电区和第二p型集电区，第一p型集电区通过对半导体基板背面的硼注入形成，第二p型集电区...
该专利属于成都森未科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都森未科技有限公司授权不得商用。

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