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本发明提供一种沟槽的制造方法及浅沟槽隔离结构的制造方法,在同一反应腔内,先在半导体衬底中形成第一沟槽,然后多次循环执行第一反应离子刻蚀工艺,以垂直向下加深第一沟槽的深度,且第一反应离子刻蚀工艺的第一沉积步骤中采用以生成聚合物为主的刻蚀气体,...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种沟槽的制造方法及浅沟槽隔离结构的制造方法,在同一反应腔内,先在半导体衬底中形成第一沟槽,然后多次循环执行第一反应离子刻蚀工艺,以垂直向下加深第一沟槽的深度,且第一反应离子刻蚀工艺的第一沉积步骤中采用以生成聚合物为主的刻蚀气体,...