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一种降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，是在Si的表面用氢元素或者氟元素进行钝化处理，然后与过渡金属硫化物的两端进行表面接触，搭成NIN型肖特基场效应管或PIP型肖特基场效应管。用氢元素钝化Si表面后的接触体系，费米能级和...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

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