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本发明属于电子元器件技术领域，一种基于花状SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。二氧化氮气体传感器包括气敏材料和叉指电极板，气敏材料涂覆在叉指电极板表面，涂覆厚度为1～100μm；气敏材料为花状SnSe2/SnO2...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

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