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本发明属于热电材料技术领域，公开了一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料及其制备方法。一种利用阻隔层提升掺杂效果的铋基热电材料，包括Bi2A3和掺杂有CuCl2的Bi2A3，掺杂有CuCl2的Bi2A3晶界处包裹有金属Bi，A为S、Se或...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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