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本公开提供一种异质结半导体器件，包括第一有源层和设置在第一有源层上的第二有源层。在第一有源层和第二有源层之间形成有二维电子气层。在第二有源层上设置有夹层栅极电介质层结构。在夹层栅极电介质层结构上方设置有钝化层。栅极延伸穿过钝化层到夹层栅极电...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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