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竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法制造方法及图纸
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文档序号:20922919
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本公开提供了竖直存储器装置和制造竖直存储器装置的方法,所述装置包括:单元阵列,其包括在第二方向上彼此间隔开的多个单元区,每个单元区包括规则排列的多个竖直沟道;在第二方向上延伸的位线,所述位线在与第二方向交叉的第一方向上彼此间隔开;以及位线接...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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