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可以用臭氧气体或用去离子水和臭氧气体处理基板上的聚合物层，以提高在化学机械抛光(CMP)工艺中所述聚合物层的去除速率。所述臭氧气体可以直接地扩散到所述聚合物层中或穿过所述聚合物层的表面上的去离子水薄层扩散到所述聚合物层中。还可以在所述工艺期...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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