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本公开提供了一种激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，包括：取一待加工的碳化硅材料；对所述待加工的碳化硅材料进行激光辐照；以及对所述激光辐照后的碳化硅材料进行干法刻蚀。本公开激光辅助无掩膜高深宽比碳化硅深槽孔结构制备方法，解决了碳...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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