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根据本发明构思的实施例涉及一种操作非易失性存储器装置的方法。所述方法包括：对第一虚设存储器单元执行第一编程操作；使用验证电压对第一虚设存储器单元执行验证操作；确定第一阈值电压是否比验证电压高；在确定第一阈值电压比验证电压高的情况下对第一虚设...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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