温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置。目的在于提供能够缩短数据的改写时间的非易失性存储器的数据改写方法以及半导体装置。具有：数据写入步骤，接收写入用数据和表示写入目的地的块的逻辑地址，在写入目的地的块为数据写入完毕的情况下，...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。