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本发明公开一种对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法包括：(1)晶体生长完成后，从VGF炉内取出包含石英管、氮化硼坩埚及晶锭在内的组件；(2)对石英管加热，使得氮化硼坩埚及籽晶端沉积的红磷升华沉积到石英管的端部，直至所...
该专利属于珠海鼎泰芯源晶体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海鼎泰芯源晶体有限公司授权不得商用。

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