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本发明公开了制备砷掺杂剂的方法、应用氧化砷掺杂生长单晶硅的方法和单晶炉以及砷掺杂单晶硅。制备砷掺杂剂的方法：包括：将金属砷进行一次氧化和二次氧化处理，得到氧化砷颗粒。其中，一次氧化处理的温度为20～25摄氏度，湿度为不高于45％，二次氧化处...
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