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一种半导体绝缘体上硅(SOI)结构，具有设置在底部氧化物(BOX)绝缘层上的硅层。深槽隔离(DTI)材料垂直穿过硅层至底部氧化物绝缘层。深槽隔离材料具有比硅的介电常数小的介电常数。同轴传输线具有内部电导体和绕内部电导体设置的外部导电屏蔽结构...
该专利属于雷声公司所有，仅供学习研究参考，未经过雷声公司授权不得商用。

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